亚洲资本网 > 资讯 > 国内 > 正文
我国科学家开发出介电基底修饰新技术
2019-03-18 09:04:18来源: 新华网

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发热问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开发出一种介电基底修饰新技术,有望解决芯片散热问题。相关研究成果在线发表于权威科学期刊《自然·通讯》。

研究表明,在一个芯片中,半导体材料和绝缘体材料之间,以六方氮化硼为材质的界面材料,将对其电子迁移率和散热产生至关重要的影响。传统方式是,研究人员先将其在别的“盆”里种出来,然后移栽到芯片材料上。

复旦大学聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程带领团队,开发了一种共形六方氮化硼修饰技术,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底表面“生长”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”效果的共形修饰技术,能让芯片材料性能显著提升。

专家表示,这一技术具有高普适性,不仅可以应用于基于二硒化钨材料的晶体管器件,还可以推广到其他材料和更多器件应用中,共形六方氮化硼也具有规模化生产和应用的巨大潜力。(完)

关键词: 介电基底修饰新技术

专题新闻
  • 苹果8价格现在是多少?苹果8p为什么被称为机皇?
  • 清明节休市吗?港股和a股休市时间一样吗?
  • 国际半导体产业协会警告美国政府 半导体产业包括哪些?
  • 聚美优品年销售额多少亿?聚美优品和唯品会关系如何?
  • 三公消费是什么意思?三公消费为啥不废除?
  • 中国电信中签号有哪些?中国电信上市股价会涨吗?
最近更新

京ICP备2021034106号-51

Copyright © 2011-2020  亚洲资本网   All Rights Reserved. 联系网站:55 16 53 8 @qq.com