第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开，详见后文
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8月28日，天岳先进披露半年度业绩报告。2023年上半年，公司实现营收4.38亿元，同比增长172.38%；扣非净利润-1.1亿元，亏损幅度进一步扩大。
天岳先进表示，2022 年公司调整产能布局，导电型衬底产能产量持续提升，2023年上半年公司营业收入主要来自于导电型产品销售。截至目前，公司济南工厂已转型为导电型产品为主，产量及营业收入较同期大幅增长，同时，产品结构调整过程中影响单位成本的不利因素逐步消除，并带动综合毛利率由去年同期-10%增加到11.3%。由于公司新建产能上海临港工厂尚处于产能产量爬坡阶段，单位产品成本较高，毛利率仍低于正常经营水平，对公司综合毛利率产生不利影响。
新建产能前期费用支出及所储备的人员数量较大导致管理费用上涨；公司加强研发投入，包括 8 英寸导电型产品产业化研发，液相法等前瞻技术研发，大尺寸半绝缘产品研发，以及高品质导电型产品的持续研发投入等研发支出较大；上述费用的增加减少了报告期净利润和归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润。
天岳先进已经实现 6 英寸导电型衬底、6 英寸半绝缘型衬底、4 英寸半绝缘衬底等产品的规模化供应。公司高品质 6 英寸产品已经获得行业下游客户的广泛认可。报告期内公司营业收入主要来自于 6 英寸导电型产品销售。
上半年，天岳先进与英飞凌签订了合作协议，公司将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的 6 英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于 6 英寸碳化硅材料，但公司也将助力英飞凌向 8 英寸碳化硅晶圆过渡。该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。公司去年与某客户签订的 13.93 亿元的框架协议正在按照协议约定履行产品交付。
天岳先进称，公司与国内外知名客户开展合作。上半年公司高品质碳化硅衬底获得国际客户的认可，产品加速“出海”。公司已经与英飞凌、博世等行业下游电力电子、汽车电子领域的国内外知名企业开展了广泛合作，有助于共同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。
在 8 英寸产品布局上，天岳先进具备量产 8 英寸产品能力，上半年已开展客户送样验证，并实现了小批量销售，预期产销规模将持续扩大。
另外，天岳先进积极优化产能布局。目前已形成山东济南、上海临港、山东济宁碳化硅半导体材料生产基地。自去年以来，公司加大了导电型产品的产能产量，2023 年 5 月新建的上海临港智慧工厂开启了产品交付，目前正处于产量的持续爬坡阶段。根据目前公司在手订单及合作客户需求情况预计，临港工厂第一阶段年 30 万片导电型衬底的产能产量将提前实现，上海临港工厂将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。
此外，公司正规划继续通过技术提升和增加资本投入以进一步提高临港工厂产能产量。公司在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。目前海外市场对公司产品的需求旺盛。
来源：集微网
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。
据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。
在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。
第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。
会议主题包括但不限于
国际形势对中国第三代半导体发展的影响
第三代半导体市场及产业发展机遇
6寸与8寸SiC项目投资与市场需求
SiC长晶工艺技术与设备
净化工程与EPC工程项目实践
8英寸SiC国产化进程和技术突破
SiC市场以及技术发展难题&解决方案
SiC与GaN外延片技术进展
大尺寸GaN长晶难点及技术展望
GaN材料技术进展
SiC与GaN器件与下游应用
功率器件封装技术与材料
新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌
工业参观与考察（重点企业或园区）
最新日程如下
会议日程 |
宽禁带器件应用中的机遇与挑战（题目暂定） ——厦门三安光电有限公司（已定） |
中国第三代半导体产业布局情况（题目暂定） ——中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（已定） |
SiC单晶生长技术浅析及应用展望（题目暂定） ——山西烁科晶体有限公司（已定） |
国产碳化硅功率器件机遇和挑战（题目暂定） ——安徽芯塔电子科技有限公司（已定） |
国产SiC MOSFET发展要点浅析 ——泰科天润半导体科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽车半导体的碳化硅MOSFET解决方案（题目暂定） ——深圳基本半导体有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅单晶工艺控制 ——山东天岳先进材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶体的生长技术，PVT法及液相法 ——中国电子科技集团公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圆制造技术难点 ——上海积塔半导体有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系统研究与产业前景 ——南方科技大学（待定） |
氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展 ——东莞中镓半导体科技有限公司（待定） |
中国第三代半导体供应链现状 ——厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（待定） |
GaN在车用功率半导体的应用 ——苏州晶方半导体科技股份有限公司（待定） |
*以上演讲报告列表将随着会议邀请工作进展不断更新，最终版以会场发布为准。
若您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎联系我们！（见文末）
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中国大陆半导体大硅片项目表（月度更新）
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中国大陆半导体湿电子化学品项目表（月度更新）
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中国大陆上月半导体前道设备进口数据表（月度更新）
中国大陆半导体大硅片项目地图（月度更新）
中国大陆8英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
中国大陆12英寸晶圆厂项目地图（月度更新）
中国大陆半导体封测项目分布图（月度更新）
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